Тартачник Володимир Петрович

доктор фізико-математичних наук (1993),  дисертація на тему «Радіаційні дефекти у  напівпровідникових фосфідах   А³ В⁵ та А² В⁵₂»  зі спеціальності  фізика напівпровідників та діалектиків 

Вчене звання: професор (2002) кафедри

експериментально теоретичної фізики та астрономії

Тема дисертації: «Радіаційні дефекти у

напівпровідникових фосфідах   » зі

спеціальності  – фізика напівпровідників та діалектиків  

Стаж роботи (науково-педагогічний): 50 років 

Основне місце роботи: Інститут ядерних досліджень

Контактні дані (електронна адреса, посилання на профіль в Google академії): Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. Вам необхідно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.   https://scholar.google.com.ua/citations?user=OnYPVzAAAAAJ&hl=uk  

 Короткі біографічні данні: У 1967 році закінчив Київський державний педагогічний інститут імені О.М. Горького , спеціальність «Фізика», кваліфікація: вчитель фізики та технічної механіки ;

З 1972 по 1975 рр. навчався  у аспірантурі  Інститут ядерних досліджень АН України.

Науково- педагогічну діяльність розпочав  з 1967 р. на посаді  вчителя фізики.

У 1993 р. захистив докторську дисертацію на тему «Радіаційні дефекти у напівпровідникових фосфідах   » зі спеціальності  – фізика напівпровідників та діалектиків. Вчене звання професор здобув у 2002 році. З  2019 року  завідувач кафедри експериментально теоретичної фізики та астрономії УДУ ім. Михайла Драгоманова.

Показники наукової та професійної активності, що визначають кваліфікацію викладача відповідно до спеціальності

Наявність за останні п’ять років наукових публікацій у періодичних виданнях, які включені до наукометричних баз, рекомендованих МОН, зокрема Scopus або Web of Science Core Collection:

1. Т.І.Мосюк, Р.М. Вернидуб, П.Г. Литовченко, Ю.Б.Мирошніченко, Д.П.Стратілат, В.П. Тартачник, В.В. Шлапацька   Вплив опромінення  з електронами з Е=2MeB на електрофізичні та оптичні характеристики зелених InGaN/GaN світлодіодів. Ядерна фізика та енергетика.2023. №1 с. 27-33. (Scopus).
2. Field effects in electro-irradiated GaP LED’S a. R.M. Vernydub, O.I. Kyrylenko, O.V. Konoreva, Ya.M.Olich, O.I. Radkevych, D.P.Stratilat, V.P.Tartachnyk
3. Деградаційно відновні особливості опромінених світлодіодів О.П.  Будник, Р.М. Вернидуб, О.І. Кириленко, П.Г. Литовченко, О.І. Радкевич, Д.П.Стратілат, В.П. Тартачник. Ядерна фізика та енергетика, 2022, V23, N2, p 116-121
4. Вплив опромінення на електрофізичні параметри світлодіодів GaAsP. Р.М. Вернидуб, Конорєва О.В., Кириленко О.І., Літовченко П.Г., Стратілат Д.П., Тартачник В.П. Ядерна фізика та енергетика 22(1)(2021)56
5. Спектральні характеристики вихідних та опромінених світлодіодів GaAsP Вернидуб Р.М., Конорєва О.В., Кириленко О.І., Літовченко П.Г., Стратілат Д.П., Тартачник В.П., Філоненко М.М., Шлапацька В.В. Ядерна фізика та енергетика  22(2)(2021) 143-148
6. M. Vernydub, O.I. Kyrylenko, O.V.Konoreva, O.I. Radkevych, V.P.Tartachnyk, D.P.Stratilat. Degradation Reduction Featur of Electro physicalCharacteristics of Irradiated Gallium Phosphide Light-Emitting Diodes. Aeta Physica Folonyca A., №2, vol 140(2021) p.141-144
7. M. Vernydub, O.I. Kyrylenko, O.I. Radkevych, V.P.Tartachnyk, D.P.Stratilat. Radiation defects in GaP, GaAsP, InGaN Led′s  Rad Conference Proceding, vol 5, pp84-89, 2021,  ISSN 2466-4626( online)
8. M. Vernydub, O.I.      Kyrylenko,             O.V.Konoreva,             Ya.M.Olich,Yu.V. Pavlovskyy, P.G.Litovchenko,  P.Potera, V.P,Tartachnyk/Electrophysical characteristics 𝐺𝑎𝐴𝑠_1−𝑥𝑃_𝑥 LED′s irradiated by 2MeV electrons. Semiconductor PhysicsQuantum Electronics and Optoelectronics 2020 v23 №2 з 201-207
9. О.В. Конорєва, П.Г.Литовченко, О.І. Радкевич, В.М. Попов, В.П.Тартачник. Електрофізичні характеристики вихідних та опромінених структур світлодіодів GaAsP. Ядерна фізика та енергетика 2019, т20, v2, 164-169
10. В.П. Велещук , О.І. Власенко, З.К. Власенко, Д.М.Хміль , О.М. Камуз, І.В. Петренко, О.В. Шульга, В.В. Борщ, В.П. Тартачник.  Видима люмінісценція   світлодіодів ультрафіолетового випромінювання 365нм. Журнал нано та електроної фізики , т9, №5, 05030,2017, с 1-5

Наявність не менше п’яти наукових публікацій у наукових виданнях, включених до переліку наукових фахових видань України:

Спектральні характеристики зелених світодіодів  Р.М. Вернидуб, , Т.І. Мосюк, Г.В Рокицька, В.П. Тартачник.

Спектральні особливості ультрафіолетових світлодіодів із квантовими ямами. Вплив електронного опромінення.

І.В. Петренко, О.І Кириленко, П.Г . Литовченко, О.І. Радкевич, В.П. Тартачник, В.В. Шпалацька.

Рекомбінаційна ефективність гомоперехідних p-n структур та гетероструктур із квантовими ямами 

Є.В. Малий, М.Б. Пінковська, Д.П. Стратілат, В.П Тартачник.

Вплив проникної радіації на активні світлодіодні елементи контрольно-вимірювальних систем

Р.М. Вернидуб, , Є.В. Малий , Т.І. Мосюк, І.В Петренко, Д.П. Стратілат, В.П Тартачник.

Збірник тез IV міжнародна конференція «Перспективи впровадження інновацій у атомну енергетику» . 30 вересня 2022р. с.8-9 Field effects in electro-irradiated GaP LED’S

R.M. Vernydub, O.I. Kyrylenko, O.V. Konoreva, Ya.M.Olii?, O.I. Radkevych, D.P.Stratilat, V.P.Tartachnyk

Semiconductor Physics, Quantum Eltctronics, 2022, V23, N2, рр 179-184

Деградаційно відновні особливості опромінених світлодіодів  

О.П.  Будник, Р.М. Вернидуб, О.І. Кириленко, П.Г. Литовченко, О.І. Радкевич,

Д.П.Стратілат, В.П. Тартачник. Ядерна фізика та енергетика, 2022, V23, N2, p 116-121

 R.M. Vernydub, O.I. Kyrylenko, I.V.Petrenko, O.I. Radkevych, V.P.Tartachnyk, V.V. Shlapatska, D.P.Stratilat, O.I. Poliakova, O.P. Budnyk

Radiation of Gallium phosphide LED’Sino stute of negative differential resistance . The international resed and practice conference “Nanotechnology and nanomateriale”, 25-27 August, 2022 Lviv

R.M. Vernydub, O.I. Kyrylenko, O.V.Konoreva, O.I. Radkevych, D.P.Stratilat, V.P.Tartachnyk, V.V. Shlapatska.

Р.М. Вернидуб, , Т.І. Мосюк, Г.В Рокицька, В.П. Тартачник  Вплив проникного випромінювання на електрофізичні характеристики гомо перехідних (GaP), та гетероперехідних (InGaN/InN) світлодіодів. Міжнародна науково-практична конференція «Latest directions of modern scinics » Ф.-М. науки. Ванкувер. Канада січень 23-25 2023р. с. 231-236.

Вернидуб Р.М., Конорєва О.В.. Мосюк Т.І., Стратілат Д.І., Тартачник В.П. особливості електрофізичних характеристик вихідних та опромінених світлодіодів (InGaN/InN) із квантовими ямами. ІІІ Міжнародна науково-практична конференція «Theoretical aspect of education development» Ф.-М. науки. Варшава січень 24-27 2023р. c.462-467.

Вернидуб Р.М. Тартачник В.П.  Роль дослідницьких лабораторій в умовах розбудови класичного університету при підготовці фахівців природничих спеціальностей. Актуальні проблеми фізики, математики, інформатики та методики їхнього навчання: матеріали Всеукраїнської науково-практичної конференції, 18-20 січня 2023р. – К: вид. УДУ імені Михайла Драгоманова, 2023.-214с- (65-67 стор).

           R.M.          Vernydub,          O.I. Kyrylenko, O.V.Konoreva, O.V.Velnichenco, T.I.Mosiuk and V.P.Tartachnyk. 

Features of Electrical and Optical Characteristics of the Original and Irradiated by ɤ - quanta Co⁶⁰ InGaN/GaN LED′s  with Quantum Wells. Acta Scientific Applied Physics .V3, N7 yuly 2023

Budnyk J.P., Vernydub R.M., Kot L.A., Melnychenco O.V., Mosiuk T.I.,Radkevchuck O.I.,

           Stratilat D.P.,     Tartachnyk V.P., Pinkovska M.B., Shepel H.S. Elektrophysical properties of InGaN/GaN LED′s with quantum wells. Int. Rescearch and practice conference “Nanotechnolodgy and Nanomederials”. 16-19 jf August 2023, Bucovel, Ukraine Abstract book p.492-493.

Budnyk J.P., Vernydub R.M., Kot L.A., Melnychenco O.V., Mosiuk T.I., Radkevych O.I.,  Stratilat D.P., Tartachnyk V.P., Shepel H.S.

Differences in emission spectra of pristine and irradiated with       2 MeV electron beam InGaN/GaN LED's with quantum wells. 16-19   jf August         2023, Bucovel, Ukraine Abstract book pp. 494-495.

Офіційний опонент кандидатської дисертації:

5 дисертацій на здобуття ступеня кандидата фіз.-мат. наук, 2 дисертацій на здобуття  наукового ступеня доктора фіз.-мат. Наук.

Навчальні дисципліни, які викладає у 2022/2023 навчальному році:

• Теоретична фізика
• Фізика конденсованих систем
• Фізика напівпровідників
• Радіаційна фізика